靶中毒的解決辦法

2021/12/04

（1）采用中頻電源或射頻電源。

（2）采用閉環控制反應氣體的通入量。

（3）采用孿生靶。

（4）控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應曲線，使進氣流量控制在產生靶中毒的前沿，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。

 靶表面金屬原子濺射比較容易，當把表面變為金屬氧化物再濺射就不容易。一般需要射頻濺射。
離子轟擊使靶表面金屬原子變得非常活潑，加上靶溫升高，使靶表面反應速率大大增加。這時靶面同時進行著濺射和反應生成化合物兩種過程。如果濺射速率大于化合物生成率，靶就處于金屬濺射態；反之，反應氣體壓強增加或金屬濺射速率減少，靶就可能突然發生化合物形成速率超過濺射速率而停止濺射。
為了減輕靶中毒現象，技術人員常用以下方法解決：（1）將反應氣體和濺射氣體分別送到基片和靶附近，以形成壓強梯度；（2）提高排氣速率；（3）氣體脈沖導入；（4）等離子體監視等。