濺射鍍膜的方式很多，介紹幾種比較具有代表性的方法

2022/11/21

1）直流二極濺射。構(gòu)造簡單，在大面積基板上可制取均勻薄膜，放電電流隨壓強(qiáng)和電壓的改變而變化；

 

2）三極或四極濺射。可實現(xiàn)低氣壓，低電壓濺射，可獨立控制放電電流和轟擊靶的離子能量。可控制靶電流，也可進(jìn)行射頻濺射；

 

3）磁控濺射（或高速，低溫濺射）。在與靶表面平行的方向上施加磁場，利用電場與磁場正交的磁控管原理，減少電子對基板的轟擊，實現(xiàn)高速低溫濺射；

4）對向靶濺射。兩個靶對向放置，在垂直于靶的表面方向加磁場，可以對磁性材料等進(jìn)行高速低溫濺射；

 

5）射頻濺射。為制取絕緣薄膜，如氧化硅，氧化鋁，玻璃膜等而研制，也可濺射金屬；

 

6）反應(yīng)濺射。可制作陰極物質(zhì)的化合物薄膜，如氮化鈦，碳化硅，氮化鋁，氧化鋁等；

 

7）偏壓濺射。鍍膜過程中同時清除基片上輕質(zhì)量的帶電粒子，從而使基板中不含有不純氣體；

 

8）非對稱交流濺射。在振幅大的半周期內(nèi)對靶進(jìn)行濺射，在振幅小的半周期內(nèi)對基片進(jìn)行離子轟擊，清除吸附的氣體，以獲得高純薄膜；

 

9）離子束濺射。在高真空下，利用離子束濺射鍍膜，是非等離子體狀態(tài)下的成膜過程。靶接地電位也可；

 

10）吸氣濺射。利用對濺射粒子的吸氣作用，除去不純物氣體，能獲得純度高的薄膜。