分子束外延

2022/03/09

分子束外延(MBE)是在超高真空條件下一個或多個熱原子或熱分子束蒸發到襯底表面上形成外延層的方法。

分子束外延是一種新的晶體生長技術，簡記為MBE。其方法是將半導體襯底放置在超高真空腔體中，和將需要生長的單晶物質按元素的不同分別放在噴射爐中(也在腔體內)。由分別加熱到相應溫度的各元素噴射出的分子流能在上述襯底上生長出極薄的(可薄至單原子層水平)單晶體和幾種物質交替的超晶格結構。分子束外延主要研究的是不同結構或不同材料的晶體和超晶格的生長。該法生長溫度低，能嚴格控制外延層的層厚組分和摻雜濃度，但系統復雜，生長速度慢，生長面積也受到一定限制。